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尽管近期有零星报告称内存价格涨势趋缓，已超预计内存(DRAM)与闪存(NAND)的上涨合同价格已较2025年第四季度平均暴涨超过90%，这是年第内存通用DRAM利润率首次超越高带宽内存(HBM)。部分高端DDR5内存套件的季度Q将继续零售价格甚至已达到去年第四季度的3至5倍。供需失衡加剧，涨幅2026年第一季度的已超预计98首码网www.98ni.com内存与NAND价格预估涨幅分别超过90%和100%;服务器市场同样严峻，对于设备制造商而言，上涨却可能使未来不可避免的年第内存行业下行周期显得更为严峻。他建议原始设备制造商(OEM)调整采购策略，季度Q将继续或聚焦高端型号，涨幅预计2026年第一季度将成为DRAM利润率首次突破历史峰值的已超预计时期。
全球半导体存储市场正经历前所未有的上涨剧烈波动。
这一轮涨势始于2025年第四季度，导致价格加速攀升。通过为消费者提供更高价值来应对价格上涨。
崔正求进一步分析，DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达60%左右，
报告显示，此次价格上涨波及范围广泛。根据市场研究机构Counterpoint最新发布的报告，虽然当前看似稳固，2026年第一季度至今，受人工智能等需求拉动，且预计第二季度价格还将进一步攀升15%至20%。内存与NAND的预估涨幅分别超过98%和90%。这也可能设定一个新的利润“常态”或极高标准，服务器市场的涨幅更是高达76%和60%。市场正常化则可能要到2027年下半年或2028年上半年。
Counterpoint高级分析师崔正求(Jeongku Choi)指出，内存与NAND的价格上涨趋势可能将持续至2027年，
存储芯片的盈利能力正达到前所未有的水平。很可能抑制后续的市场需求。但多位行业内部人士及OEM厂商预测，这构成了“双重打击”——不断上涨的零部件成本与疲软的消费者购买力，进入2026年后，